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CMP063N15
1个N沟道 耐压:150V 电流:157A
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- 描述
- 063N15 是 N 沟道 MOSFET，专门设计用于最小化输入电容和栅极电荷。因此，该器件适用于先进的高效开关应用。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMP063N15
- 商品编号
- C5337955
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.77克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 157A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 375W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 96nC | |
| 输入电容(Ciss) | 5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 190pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.65nF |
商品概述
2SK3018采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30 V
- ID = 0.1 A
- RDS(ON) < 2.2 Ω @ VGS = 10 V
- 静电放电等级：人体模型（HBM）≥ 2000V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源