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CMD130N85
1个N沟道 耐压:85V 电流:100A
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- 描述
- 130N85采用先进的技术和设计，以提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合用于消费电子、电信、工业电源和LED背光的升压转换器和同步整流器。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMD130N85
- 商品编号
- C5337952
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.35克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 85V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.6mΩ@10V,28A | |
| 耗散功率(Pd) | 125W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC | |
| 输入电容(Ciss) | 3.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 45pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
这些器件非常适合用于高效开关式 DC/DC 转换器和开关模式电源，也适用于作为负载开关或用于 PWM 应用。
商品特性
- N 沟道
- VDS（V） = 30V
- ID = 6.9A
- RDS（ON） < 32mΩ（VGS = 10V）
- RDS（ON） < 36mΩ（VGS = 4.5V）
- P 沟道
- VDS（V） = -30V
- ID = -6A
- RDS（ON） < 65mΩ（VGS = -10V）
- RDS（ON） < 75mΩ（VGS = -4.5V）
- n 沟道
- p 沟道
- SOP - 8
应用领域
- 高效开关式 DC/DC 转换器
- 开关模式电源
- 负载开关
- PWM 应用