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CMA20N50C
1个N沟道 耐压:500V 电流:18A
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- 描述
- N-Channel增强模式功率场效应晶体管采用先进技术生产，该技术特别针对最小化导通电阻、提供卓越的开关性能以及承受雪崩和换向模式下的高能脉冲进行了优化。这些器件非常适合高效开关模式电源和有源功率因数校正。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMA20N50C
- 商品编号
- C5337950
- 商品封装
- TO-3P
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.88克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 320mΩ@10V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 235W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC | |
| 输入电容(Ciss) | 3.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
AO3400H采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷，且能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30V，ID = 5.7A
- 当VGS = 10V时，RDS(ON) < 28 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源