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AP4509AGM
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V；30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11.2A；8A | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V；1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC；12nC | |
| 输入电容(Ciss) | 715pF；1.26nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 160pF；185pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 |
商品概述
AP4509A 系列采用创新设计和硅工艺技术，以实现尽可能低的导通电阻和快速开关性能。它为设计人员提供了一种极其高效的器件，适用于广泛的电源应用。 SO-8 封装在所有采用红外回流技术的商业 - 工业表面贴装应用中广受欢迎，适用于电压转换或开关应用。
商品特性
- 驱动要求简单
- 栅极电荷低
- 开关性能快速
- 符合 RoHS 标准且无卤