温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
AP3P013M
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 27nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.04nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 360pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 400pF |
商品概述
AP3P013系列采用创新设计和硅工艺技术，以实现尽可能低的导通电阻和快速开关性能。它为设计人员提供了一种高效的器件，可广泛应用于各种电源应用中。 SO - 8封装在所有商业 - 工业表面贴装应用中广受青睐，适用于如DC/DC转换器等低压应用。
商品特性
- 低栅极电荷
- 快速开关特性
- 简单的驱动要求
- 符合RoHS标准且无卤