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AP4438CGM
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.35V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 100pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 140pF |
商品概述
AP4438C系列采用创新设计和硅工艺技术，以实现尽可能低的导通电阻和快速开关性能。它为设计人员提供了一种超高效的器件，可广泛应用于各种电源领域。 SO-8封装在所有采用红外回流技术的商业-工业表面贴装应用中广受欢迎，适用于电压转换或开关应用。
商品特性
-更低的栅极电荷-简单的驱动要求-快速开关特性-符合RoHS标准且无卤