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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

AP3P020H

P沟道增强型功率MOSFET

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描述
AP3P020系列采用创新设计和硅工艺技术,以实现尽可能低的导通电阻和快速开关性能。它为设计人员提供了一种极其高效的器件,可用于广泛的电源应用。TO - 252封装在所有采用红外回流技术的商用工业表面贴装应用中广受欢迎,并且由于其连接电阻低,适用于大电流应用
品牌名称
APEC(富鼎)
商品型号
AP3P020H
商品编号
C5253025
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.362克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)30A
导通电阻(RDS(on))20mΩ@10V,15A
耗散功率(Pd)25W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1V
栅极电荷量(Qg)19.2nC@10V
输入电容(Ciss)2.08nF
反向传输电容(Crss)135pF
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

先进功率MOSFET为设计师提供了快速开关、耐用的器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。 PMPAK 3x3封装特别适用于DC-DC转换器应用,背面带有散热器,高度低至1.0mm。

商品特性

  • 低栅极电荷
  • 快速开关特性
  • 简单的驱动要求
  • 符合RoHS标准且无卤

数据手册PDF