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ST3427SRG
1个P沟道 耐压:60V 电流:5A
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- 描述
- ST3427SRG是一款P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度的DMOS沟槽技术制造。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低压应用，如手机和笔记本电脑的电源管理、其他电池供电电路，以及需要低线路功率损耗的场合
- 品牌名称
- STANSON(司坦森)
- 商品型号
- ST3427SRG
- 商品编号
- C5253046
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.041克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 135mΩ@10V；160mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@30V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 115pF |
商品概述
6706采用先进的沟槽技术和设计，在实现低栅极电荷的同时，提供出色的RDS(on)。它可用于构成电平转换高端开关，以及其他多种应用。
商品特性
- 60V / -5.0A,在VGS = -10V时,RDS(ON) = 135 mΩ(典型值)
- 60V / -2.5A,在VGS = -4.5V时,RDS(ON) = 160 mΩ
- 超高密度单元设计,实现极低的RDS(ON)
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力
- SOT - 23封装设计
应用领域
- 手机和笔记本电脑电源管理
- 其他电池供电电路
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