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AP18P10GH
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 耗散功率(Pd) | 35.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.59nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 110pF |
商品概述
先进功率MOSFET为设计人员提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。 TO - 252封装在所有商业 - 工业表面贴装应用中广受欢迎,适用于如DC/DC转换器等低压应用。通孔版本(AP18P10GJ)适用于薄型应用。
商品特性
- 更低的栅极电荷
- 简单的驱动要求
- 快速开关特性
- 符合RoHS标准且无卤素