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AP10TN028MT
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 21A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 26W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 14.5nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.35nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 185pF |
商品概述
AP10TN028系列采用创新设计和硅工艺技术,以实现尽可能低的导通电阻和快速开关性能。它为设计人员提供了一种高效器件,可广泛应用于各种电源领域。 PMPAK 5x6封装专为DC-DC转换器应用而设计,其引脚布局与带背面散热片的SO-8封装兼容,且外形更低。
商品特性
- 100%进行Rg和UIS测试
- 与带散热片的SO-8封装兼容
- 栅极电荷更低
- 符合RoHS标准且无卤
应用领域
- PWM应用-负载开关-电源管理
- AP10TN004CMT
- AP10P070YT-A
- AP10P070YT
- STN4900
- ST3427SRG
- DB2EVC-5.08-23P-GN
- DB2EKA-3.5-2P-GN-S
- DB2EKA-3.5-3P-GN-S
- DB2EKA-3.5-4P-GN-S
- DB2EKA-3.5-5P-GN-S
- DB2EKA-3.5-6P-GN-S
- DB2EKA-3.5-7P-GN-S
- DB2EKA-3.5-8P-GN-S
- DB2EKA-3.5-9P-GN-S
- DB2EKA-3.5-10P-GN-S
- DB2EKA-3.5-12P-GN-S
- DB2EKA-3.5-16P-GN-S
- DB2EKB-3.5-2P-GN-S
- DB2EKB-3.5-3P-GN-S
- DB2EKB-3.5-4P-GN-S
- DB2EKB-3.5-5P-GN-S