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AP2606CMT
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 280A | |
| 耗散功率(Pd) | 104W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 75nC | |
| 输入电容(Ciss) | 7.37nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 810pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 1.57nF |
商品概述
AP2606C系列采用创新设计和硅工艺技术，以实现尽可能低的导通电阻和快速开关性能。它为设计人员提供了一种可用于广泛电力应用的高效器件。 PMPAK 5 × 6封装专为DC-DC转换器应用而设计，其引脚布局与带背面散热片的SO-8封装兼容，且外形更薄。
商品特性
- 驱动要求简单
- 与带散热片的SO-8封装兼容
- 超低导通电阻
- 符合RoHS标准且无卤