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AP3N5R0MT
N沟道增强型功率MOSFET
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- 描述
- AP3N5R0系列采用创新设计和硅工艺技术，以实现尽可能低的导通电阻和快速开关性能。它为设计师提供了一种超高效的器件，可广泛应用于各类电源领域。PMPAK 5x6封装专为DC-DC转换器应用而设计，其引脚布局与带背面散热片且外形更低的SO-8封装兼容
- 品牌名称
- APEC(富鼎)
- 商品型号
- AP3N5R0MT
- 商品编号
- C5253030
- 商品封装
- PMPAK-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.39克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 61A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5mΩ@10V,19A | |
| 耗散功率(Pd) | 31.2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 35.2nC | |
| 输入电容(Ciss) | 3.04nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 245pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
GD1采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
~~- 高功率和电流处理能力-符合RoHS标准-表面贴装封装
应用领域
- PWM应用-负载开关-电源管理