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AP3P7R0EMT
P沟道增强型功率MOSFET
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- 描述
- AP3P7R0E系列采用创新设计和硅工艺技术，以实现尽可能低的导通电阻和快速开关性能。它为设计人员提供了一种极其高效的器件，可广泛应用于各种电源领域。PMPAK 5x6封装专为电压转换应用而设计，采用标准红外回流焊技术，背面带有散热片，以实现良好的散热性能
- 品牌名称
- APEC(富鼎)
- 商品型号
- AP3P7R0EMT
- 商品编号
- C5253023
- 商品封装
- PMPAK-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.13克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 75A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 59.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 54.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.88nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 330pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
SOP-8 已通过定制引线框架进行改进，以增强热特性和多芯片能力，使其非常适合各种电源应用。通过这些改进，在应用中使用多个器件时可显著减少电路板空间。该封装专为气相、红外或波峰焊接技术而设计。
商品特性
- VDSS = -30V
- RDS(ON) < 13.5 mΩ (VGS = -10)，ID = -11 A
- RDS(ON) < 22 mΩ (VGS = -4.5 V)，ID = -8.8 A