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AP3R303GMT
N沟道增强型功率MOSFET
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- 描述
- AP3R303系列采用创新设计和硅工艺技术，以实现尽可能低的导通电阻和快速开关性能。它为设计人员提供了一种极其高效的器件，可用于广泛的电源应用。PMPAK 5x6封装专为电压转换应用而设计，采用标准红外回流技术，并带有背面散热器，以实现良好的散热性能
- 品牌名称
- APEC(富鼎)
- 商品型号
- AP3R303GMT
- 商品编号
- C5253021
- 商品封装
- PMPAK-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.125克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 105A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.3mΩ@10V,30A | |
| 耗散功率(Pd) | 56.8W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 21nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.24nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 170pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
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