- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NVMFS9D6P04M8LT1G
1个P沟道
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVMFS9D6P04M8LT1G
- 商品编号
- C5205508
- 商品封装
- SO-8FL
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 77A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.5mΩ | |
| 耗散功率(Pd) | 75W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14.47nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 2.002nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 43pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 935pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
CMSA65R380Q采用先进技术，可提供出色的RDS(ON)。该器件适用于开关电源（SMPS）、负载开关和通用应用中的低端场效应晶体管（FET）。
商品特性
- 小尺寸,适合紧凑设计
- 低导通电阻RDS(on),以最小化传导损耗
- 低电容,以最小化驱动损耗
- NVMFWS9D6P04M8L - 可焊侧翼产品
- 通过AEC-Q101认证,可提供生产件批准程序(PPAP)文件
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂(BFR),符合RoHS标准
应用领域
- 负载开关
- 网络直流-直流电源系统
- 用于移动电脑（MB）、笔记本电脑（NB）、超便携个人电脑（UMPC）、视频图形阵列（VGA）的高频负载点同步降压转换器
- BSS123-F169
- NTD5C632NLT4G
- NTMFD001N03P9
- NTMFS005P03P8ZT1G
- NTMFS6H824NT1G
- NVA4001NT1G
- NVD2955T4G
- NVD3055-150T4G
- NVJD4158CT1G
- NVJD5121NT2G
- NVMD3P03R2G
- NVMFS021N10MCLT1G
- NVMFS040N10MCLT1G
- NVMJS3D0N06CTWG
- NVMYS9D3N06CLTWG
- NVTFS040N10MCLTAG
- NTBLS1D7N10MCTXG
- NVBLS1D5N10MCTXG
- NVBLS1D7N10MCTXG
- NVLJWD023N04CLTAG
- NVLJWD040N06CLTAG