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NVMFS9D6P04M8LT1G实物图
  • NVMFS9D6P04M8LT1G商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NVMFS9D6P04M8LT1G

1个P沟道

品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
NVMFS9D6P04M8LT1G
商品编号
C5205508
商品封装
SO-8FL​
包装方式
编带
商品毛重
0.171克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)-
导通电阻(RDS(on))9.5mΩ
耗散功率(Pd)75W
阈值电压(Vgs(th))2.4V
栅极电荷量(Qg)14.47nC
属性参数值
输入电容(Ciss)2.002nF
反向传输电容(Crss)43pF
工作温度-55℃~+175℃
配置-
类型P沟道
输出电容(Coss)935pF
栅极电压(Vgs)±20V

商品概述

CMSA65R380Q采用先进技术,可提供出色的RDS(ON)。该器件适用于开关电源(SMPS)、负载开关和通用应用中的低端场效应晶体管(FET)。

商品特性

  • 小尺寸,适合紧凑设计
  • 低导通电阻RDS(on),以最小化传导损耗
  • 低电容,以最小化驱动损耗
  • NVMFWS9D6P04M8L - 可焊侧翼产品
  • 通过AEC-Q101认证,可提供生产件批准程序(PPAP)文件
  • 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂(BFR),符合RoHS标准

应用领域

  • 负载开关
  • 网络直流-直流电源系统
  • 用于移动电脑(MB)、笔记本电脑(NB)、超便携个人电脑(UMPC)、视频图形阵列(VGA)的高频负载点同步降压转换器

数据手册PDF