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CMS9475
1个N沟道 耐压:60V 电流:6.5A
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- 描述
- CMS9475采用先进的沟槽技术，可实现出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMS9475
- 商品编号
- C5203848
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 41mΩ@10V,6.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 3.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 930pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
CMSA150N04A采用先进技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于开关电源(SMPS)、负载开关和通用应用中的低端场效应晶体管(FET)。
商品特性
- 漏源电压VDS = 40V，漏极电流ID = 100A
- 当栅源电压VGS = 10V时，导通电阻RDS(ON) = 2.9mΩ（典型值）
- 当栅源电压VGS = 4.5V时，导通电阻RDS(ON) = 4.8mΩ（典型值）
- 极低的导通电阻RDS(ON)
- 100%经过雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 直流-直流(DC/DC)转换器
- 非常适合高频开关和同步整流