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CMD20N06L
1个N沟道 耐压:60V 电流:20A
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- 描述
- 结合了先进的沟槽MOSFET技术。这种先进技术经过特别设计，可最大限度地降低导通电阻，提供卓越的开关性能。适用于低压应用，如汽车、DC/DC转换器以及便携式和电池供电产品的电源管理高效开关。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMD20N06L
- 商品编号
- C5203855
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.39克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 46mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 60W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 21nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 720pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 48pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 205pF |
优惠活动
购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个2500个/圆盘
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