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CMD30N06AL
1个N沟道 耐压:60V 电流:30A
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- 描述
- 30N06AL将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于消费类、电信、工业电源和LED背光的升压转换器和同步整流器。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMD30N06AL
- 商品编号
- C5203859
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.39克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 40W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 28nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 850pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 40pF |
商品概述
20N06L采用了先进的沟槽MOSFET技术。这项先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，并提供卓越的开关性能。 这些器件非常适合用于低电压应用，如汽车、DC/DC转换器，以及便携式和电池供电产品电源管理中的高效开关。
商品特性
- 20A、60V。RDS(ON)=0.046Ω@VGS = 10V
- 快速开关
- 低阈值驱动
应用领域
- 电源
- 转换器
- 动力电机控制
- 桥接电路