CMP100N68K
1个N沟道 耐压:68V 电流:100A
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- 描述
- 100N68K 是 N 沟道 MOSFET,专门设计用于最小化输入电容和栅极电荷。因此,该器件适用于先进的高效开关应用。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMP100N68K
- 商品编号
- C5203877
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.69克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 68V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 170W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 86nC | |
| 输入电容(Ciss) | 5.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 320pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
CMP50N06是一款超高密度N沟道MOSFET,为同步降压转换器应用提供了最佳的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。
商品特性
- 最小化输入电容和栅极电荷
- 100%雪崩测试
- 低导通电阻
应用领域
- 电机控制
- 直流-直流转换器
- 开关应用
