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CMN1052M
1个N沟道 耐压:100V 电流:1.2A
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- 描述
- CMN1052M将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合用于消费类、电信、工业电源和LED背光等应用中的升压转换器和同步整流器。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMN1052M
- 商品编号
- C5203892
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.06克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 480mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC@50V | |
| 输入电容(Ciss) | 300pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 90pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 30pF |
商品概述
020N12采用先进的沟槽技术和设计，以提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合用于脉宽调制（PWM）、负载开关和通用应用。
商品特性
- 在VGS = 10V时,RDS(ON) < 160mΩ
- 在VGS = 4.5V时,RDS(ON) < 270mΩ
- SOT-23-3L封装
应用领域
-DC-DC转换器-负载开关-系统开关