温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
AOD464P
1个N沟道 耐压:105V 电流:30A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- AOD464P采用先进的平面条形DMOS技术和设计，以提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于高压同步整流、负载开关和通用应用。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- AOD464P
- 商品编号
- C5203914
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.39克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 105V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 38mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 80W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 200pF |
商品概述
CMSA012N10A采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并最大程度降低功率转换应用中的损耗。该器件适合用作开关电源（SMPS）、负载开关和通用应用中的低侧场效应晶体管（FET）。
商品特性
- 低导通电阻
- 100% 雪崩测试
- 降低传导损耗
- 符合RoHS标准
应用领域
- 计算机、服务器和负载点（POL）中的直流-直流（DC/DC）转换器
- 电信和工业领域的隔离式直流-直流（DC/DC）转换器