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CMD5N50
1个N沟道 耐压:500V 电流:4.5A
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- 描述
- 5N50采用先进的高压MOSFET工艺制造，旨在为常见的AC - DC应用提供高性能和高可靠性。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMD5N50
- 商品编号
- C5203938
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.39克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.5Ω@10V,2.2A | |
| 耗散功率(Pd) | 50W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@400V | |
| 输入电容(Ciss) | 750pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
优惠活动
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