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CMH24N50
1个N沟道 耐压:500V 电流:24A
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- 描述
- 24N50采用先进的高压MOSFET工艺制造，旨在提供出色的RDS(ON)。这些器件非常适合高效开关模式电源和有源功率因数校正。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMH24N50
- 商品编号
- C5203946
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.4克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 24A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 200mΩ@10V,12A | |
| 耗散功率(Pd) | 290W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 90nC | |
| 输入电容(Ciss) | 6.3nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
13N50T采用先进的高压MOSFET技术制造。这种先进技术经过专门设计，可最大限度地降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲。这些器件非常适合用于高效开关模式电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正。
商品特性
- 100%雪崩测试
- 快速开关
- 改善的dv/dt能力
应用领域
- 开关稳压器
- UPS（不间断电源）
- DC-DC转换器