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CMD5N60
1个N沟道 耐压:600V 电流:4.5A
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- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMD5N60
- 商品编号
- C5203950
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.39克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5Ω | |
| 耗散功率(Pd) | 54W |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用先进技术制造，该技术经过专门设计，可最大程度降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效开关模式电源和有源功率因数校正。
商品特性
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
- 符合RoHS标准
应用领域
- 电源
- 功率因数校正(PFC)
- 镇流器