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CMA65R190Q
1个N沟道 耐压:650V 电流:20A
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- 描述
- 该系列器件采用先进的超结技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。这款超结MOSFET满足行业对功率因数校正（PFC）、AC/DC电源转换和工业电源应用的AC-DC开关电源（SMPS）要求。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMA65R190Q
- 商品编号
- C5203971
- 商品封装
- TO-3P
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.05克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 190mΩ@10V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 250W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 37nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.4nF@100V | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.45nF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
优惠活动
购买数量
(30个/管，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个30个/管
总价金额：
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