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CMSA65R380Q实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

CMSA65R380Q

1个N沟道 耐压:650V 电流:8A

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描述
CMSA65R380Q采用先进技术,具备出色的RDS(ON)。该器件适用于开关模式电源(SMPS)的低端场效应晶体管(FET)、负载开关及通用应用。
商品型号
CMSA65R380Q
商品编号
C5203962
商品封装
DFN-8(5x6)​
包装方式
编带
商品毛重
0.08克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)8A
导通电阻(RDS(on))365mΩ@10V
耗散功率(Pd)57W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2V
栅极电荷量(Qg)21nC
输入电容(Ciss)800pF
反向传输电容(Crss)1.2pF
工作温度-55℃~+175℃

商品概述

CMSA65R380Q采用先进技术,提供出色的RDS(ON)。该器件适用于开关电源、负载开关和通用应用中的低端FET。

商品特性

  • 多层外延芯片技术
  • 低导通电阻
  • 100%雪崩测试
  • 符合RoHS标准
  • DFN - 8 5x6引脚配置

应用领域

  • 负载开关
  • 网络直流 - 直流电源系统
  • 用于MB/NB/UMPC/VGA的高频负载点同步降压转换器

数据手册PDF