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CMF65R280Q
1个N沟道 耐压:650V 电流:14A
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- 描述
- 65R280Q是一款功率MOSFET，采用了Cmos先进的超结技术，可实现极低的导通电阻和栅极电荷。通过采用优化的电荷耦合技术，它将提供更高的效率。这些用户友好型器件不仅能为设计人员带来低电磁干扰（EMI）的优势，还能降低开关损耗
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMF65R280Q
- 商品编号
- C5203969
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.88克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 14A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 300mΩ |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 35W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- P沟道
- 增强型
- 逻辑电平（额定4.5V）
- ESD保护
- 符合AEC Q101标准
- 100%无铅；符合RoHS标准
- 符合IEC61249-2-21标准，无卤素