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CMF16N65
1个N沟道 耐压:650V 电流:16A
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- 描述
- 使用先进的平面条纹DMOS技术，提供出色的RDS(ON)和卓越的开关性能，并能在雪崩和换向模式下承受高能脉冲。适用于基于半桥拓扑的高效开关电源、有源功率因数校正。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMF16N65
- 商品编号
- C5203970
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.81克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 470mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 40W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 50nC | |
| 输入电容(Ciss) | 3.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 半桥 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 220pF |
商品概述
65R580系列采用先进的MOSFET技术，具备低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件适用于有源功率因数校正和开关模式电源应用。650V N沟道超结功率MOSFET
商品特性
- 低导通电阻
- 100%雪崩测试
应用领域
- 电源-功率因数校正-开关应用
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