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CMF65R580Q
1个N沟道 耐压:650V 电流:8A
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- 描述
- 65R580Q采用先进的超结技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。这项先进技术经过优化，可最大程度降低传导损耗，提供卓越的开关性能，并能承受极高的dv/dt速率和更高的雪崩能量。适用于各种开关模式操作的AC/DC电源转换，以实现更高的效率
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMF65R580Q
- 商品编号
- C5203963
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.83克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 580mΩ@10V,2.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 30W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC@480V | |
| 输入电容(Ciss) | 500pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 1pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 30V/84A
- 在VGS = 10 V时，RDS(ON) = 3.3 mΩ（典型值）
- 在VGS = 4.5 V时，RDS(ON) = 5.1 mΩ（典型值）
- 经过100%雪崩测试
- 可靠且耐用
- 提供无卤器件
应用领域
- 负载开关-锂电池保护板