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CMD65R580
1个N沟道 耐压:650V 电流:8A
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- 描述
- 65R580系列采用先进的MOSFET技术，具备低导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件适用于有源功率因数校正和开关模式电源应用。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMD65R580
- 商品编号
- C5203964
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.38克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 550mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 45W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@480V | |
| 输入电容(Ciss) | 500pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 430pF |
商品概述
10N60采用先进的平面条纹DMOS技术，可提供出色的 RDS(on) 和卓越的开关性能，并能在雪崩和换向模式下承受高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关模式电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正。
商品特性
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
- 符合RoHS标准
应用领域
- 充电器-适配器-电源-无极灯