温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
CMD65R580
1个N沟道 耐压:650V 电流:8A
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 65R580系列采用先进的MOSFET技术，具备低导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件适用于有源功率因数校正和开关模式电源应用。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMD65R580
- 商品编号
- C5203964
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.38克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 620mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 45W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC | |
| 输入电容(Ciss) | 480pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8.2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 35pF |