温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
CMF12N65
1个N沟道 耐压:650V 电流:12A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 12N65采用先进的平面条形DMOS技术，具备出色的RDS(ON)和卓越的开关性能，能在雪崩和换向模式下承受高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关模式电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMF12N65
- 商品编号
- C5203966
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.85克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 750mΩ@10V,6A | |
| 耗散功率(Pd) | 54W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 50nC@520V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.5nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
优惠活动
购买数量
(50个/管，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个50个/管
总价金额：
￥ 0.00近期成交4单