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CMD65R380Q
1个N沟道 耐压:650V 电流:11A
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- 描述
- 该系列器件采用先进的超结技术和设计，可提供出色的导通电阻 (RDS(ON)) 和低栅极电荷。这款超结 MOSFET 符合行业对功率因数校正 (PFC)、AC/DC 电源转换和工业电源应用的 AC-DC 开关电源 (SMPS) 要求。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMD65R380Q
- 商品编号
- C5203965
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.39克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 380mΩ@10V,5.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 83W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 21nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 780pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 38.7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
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