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CMF7N60MR
1个N沟道 耐压:600V 电流:7A
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- 描述
- 这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用先进技术制造，该技术经过专门设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关模式电源、有源功率因数校正以及基于半桥拓扑的电子灯镇流器。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMF7N60MR
- 商品编号
- C5203951
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.32克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.15Ω@10V,3.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 40W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
20N60采用先进的高压MOSFET工艺制造，旨在为常见的AC-DC应用提供高性能和高可靠性。这些器件可快速应用于新的和现有的离线电源设计中。
商品特性
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 充电器
- 适配器
- 电源