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CMF60R580Q
1个N沟道 耐压:600V 电流:8A
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- 描述
- 60R580Q 是一款采用先进超结技术的功率 MOSFET，可实现极低的导通电阻和栅极电荷。这项先进技术经过专门设计，可将传导损耗降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受极高的 dv/dt 速率和更高的雪崩能量。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMF60R580Q
- 商品编号
- C5203952
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.85克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 580mΩ@10V,2.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 28W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC | |
| 输入电容(Ciss) | 500pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用先进技术制造，该技术经过特别优化，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效开关模式电源和有源功率因数校正。
商品特性
- 100%雪崩测试
- 快速开关
- 改善的dv/dt能力
应用领域
- 开关稳压器-不间断电源(UPS)-DC-DC转换器