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CMD7N65
1个N沟道 耐压:650V 电流:7A
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- 描述
- 7N65采用先进的高压MOSFET工艺制造，旨在为常见的AC-DC应用提供高性能和高可靠性。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMD7N65
- 商品编号
- C5203961
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.45Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 180W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ |
商品概述
12N65采用先进的平面条形DMOS技术，具备出色的导通电阻RDS(ON)和卓越的开关性能，能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适用于高效开关模式电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正。
商品特性
- 7.0A、650V,VGS = 10 V时,RDS (on) = 1.45 Ω
- 经过100%雪崩测试
- 改善了dv/dt能力
应用领域
- 电源
- 功率因数校正(PFC)
- 镇流器