温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
CMU5N60
1个N沟道 耐压:600V 电流:4.5A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 这款功率MOSFET采用先进的平面条纹DMOS技术制造。这些器件非常适合用于高效开关电源、有源功率因数校正、基于半桥拓扑的电子灯镇流器。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMU5N60
- 商品编号
- C5203949
- 商品封装
- TO-251
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.64克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.2Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 54W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 680pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 半桥 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 55pF |
优惠活动
购买数量
(80个/管，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个80个/管
总价金额：
￥ 0.00近期成交4单