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CMU5N60
1个N沟道 耐压:600V 电流:4.5A
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- 描述
- 这款功率MOSFET采用先进的平面条纹DMOS技术制造。这些器件非常适合用于高效开关电源、有源功率因数校正、基于半桥拓扑的电子灯镇流器。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMU5N60
- 商品编号
- C5203949
- 商品封装
- TO-251
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.64克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.2Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 54W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 680pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 半桥 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 55pF |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用先进技术制造，该技术经过专门设计，可最大程度降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效开关模式电源和有源功率因数校正。
商品特性
- 100%雪崩测试
- 快速开关
- 改善的dv/dt能力
应用领域
- 开关稳压器-UPS(不间断电源)-DC-DC转换器