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CMH20N50
1个N沟道 耐压:500V 电流:20A
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- 描述
- 这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用先进技术制造，该技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关模式电源和有源功率因数校正。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMH20N50
- 商品编号
- C5203945
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.87克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 260mΩ@10V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 280W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 69nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF@400V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
优惠活动
购买数量
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起订量：1 个30个/管
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