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CMF15N50B
1个N沟道 耐压:500V 电流:15A
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- 描述
- CMF15N50B采用先进的沟槽式DMOS技术，具备出色的导通电阻RDS(ON)和卓越的开关性能，能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适用于高效开关电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMF15N50B
- 商品编号
- C5203940
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.83克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 390mΩ@10V,8A | |
| 耗散功率(Pd) | 70W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 48nC | |
| 输入电容(Ciss) | 830pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
这款功率MOSFET采用Cmos先进的平面条形DMOS技术制造。这些器件非常适合用于高效开关模式电源、有源功率因数校正以及基于半桥拓扑的电子灯镇流器。
商品特性
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
- 符合RoHS标准
应用领域
- 电源
- 功率因数校正（PFC）
- 镇流器