温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
CMD3N50
1个N沟道 耐压:500V 电流:3A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 3N50采用先进的高压MOSFET工艺制造，该工艺旨在为常见的AC-DC应用提供高性能和高可靠性。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMD3N50
- 商品编号
- C5203937
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.39克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.4Ω@10V,1A | |
| 耗散功率(Pd) | 30W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7nC@400V | |
| 输入电容(Ciss) | 270pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
优惠活动
购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个2500个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交4单