温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
CMD3N50
1个N沟道 耐压:500V 电流:3A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 3N50采用先进的高压MOSFET工艺制造，该工艺旨在为常见的AC-DC应用提供高性能和高可靠性。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMD3N50
- 商品编号
- C5203937
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.39克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.4Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 30W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7nC@400V | |
| 输入电容(Ciss) | 270pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
50N20采用先进的平面条形DMOS技术和设计，以提供出色的RDS(ON)。这些器件非常适用于高效开关模式电源和有源功率因数校正。
商品特性
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
应用领域
- 功率因数校正(PFC)
- 开关模式电源(SMPS)
- 不间断电源(UPS)