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CMP95N15实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

CMP95N15

1个N沟道 耐压:150V 电流:95A

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描述
95N15采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。其结果是在可控的开关特性下实现卓越的效率。这种通用技术非常适合PWM、负载开关和通用应用
商品型号
CMP95N15
商品编号
C5203919
商品封装
TO-220​
包装方式
管装
商品毛重
2.76克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)150V
连续漏极电流(Id)95A
导通电阻(RDS(on))14mΩ@10V,3A
耗散功率(Pd)315W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))5V
栅极电荷量(Qg)35nC
输入电容(Ciss)6.5nF@25V
反向传输电容(Crss)400pF@25V
工作温度-55℃~+175℃

商品概述

044N10是N沟道MOSFET,专门设计用于最小化输入电容和栅极电荷。因此,该器件适用于先进的高效开关应用。

商品特性

  • 最小化输入电容和栅极电荷
  • 100%雪崩测试
  • 低导通电阻
  • 100V、4.4mΩ(典型值)、160A N沟道MOSFET

应用领域

  • 电机控制-DC-DC转换器-开关应用

数据手册PDF