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CMU9N20
1个N沟道 耐压:200V 电流:9A
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- 描述
- 9N20采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)。该器件非常适用于消费类、电信、工业电源和LED背光的升压转换器和同步整流器。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMU9N20
- 商品编号
- C5203922
- 商品封装
- TO-251
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.6克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 400mΩ | |
| 耗散功率(Pd) | 50W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 550pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 85pF |
商品概述
9N20采用先进的平面条形DMOS技术和设计，以提供出色的RDS(ON)。该器件非常适用于消费、电信、工业电源和LED背光的升压转换器和同步整流器。
商品特性
- 快速开关
- 改善的dv/dt能力
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- PWM电机控制-LED电视-DC-DC转换器