温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
CMP60N20
1个N沟道 耐压:200V 电流:60A
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 是N沟道功率MOSFET，专门设计用于最小化输入电容和栅极电荷，适用于先进的高效开关应用。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMP60N20
- 商品编号
- C5203931
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.72克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 260W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 100nC | |
| 输入电容(Ciss) | 5.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 136pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
60N20采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用。
商品特性
- 低导通电阻
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 电源开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源