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CMP18N20
1个N沟道 耐压:200V 电流:18A
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- 描述
- 18N20采用先进的平面条形DMOS技术，可提供出色的RDS(ON)和卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关模式电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMP18N20
- 商品编号
- C5203924
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.67克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 170mΩ | |
| 耗散功率(Pd) | 100W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 半桥 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 220pF |
商品概述
该MOSFET采用先进的加工技术，实现了单位硅面积极低的导通电阻。这一优势，再加上快速的开关速度和坚固耐用的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效可靠的器件，可广泛应用于各种领域。
商品特性
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
-DC-DC转换器-不间断电源(UPS)-电机控制