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CMP630
1个N沟道 耐压:200V 电流:9A
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- 描述
- 使用先进的平面条纹 DMOS 技术和设计，以提供出色的 RDS(ON)。这些器件非常适合用于高效开关 DC/DC 转换器、开关模式电源、不间断电源的 DC-AC 转换器和电机控制。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMP630
- 商品编号
- C5203921
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.68克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 300mΩ@10V,4.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 50W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 800pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
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