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CMSA046N10A
1个N沟道 耐压:100V 电流:100A
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- 描述
- CMSA046N10A采用沟槽式MOSFET技术，该技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于RDS(ON)、Ciss和Coss的组合极低，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合用于消费类、电信、工业电源和LED背光的升压转换器和同步整流器
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMSA046N10A
- 商品编号
- C5203910
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.15克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5mΩ@10V,25A | |
| 耗散功率(Pd) | 150W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 65nC@50V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.3nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
40N20采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 低栅极电荷
- 快速开关
- 经过100%单脉冲雪崩能量测试
应用领域
- 不间断电源(UPS)-逆变器-照明