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CMB044N10
1个N沟道 耐压:100V 电流:160A
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- 描述
- 是N沟道MOSFET，专门设计用于最小化输入电容和栅极电荷。该器件适用于先进的高效开关应用。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMB044N10
- 商品编号
- C5203913
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.71克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 160A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 260W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 输入电容(Ciss) | 6.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.3nF |
商品概述
CMD510B采用先进的沟槽技术MOSFET，可实现出色的RDS(ON)和低栅极电荷。互补MOSFET可用于H桥、逆变器及其他应用。
商品特性
- 100V、14A，VGS = 10V时RDS(ON) ≤ 110mΩ
- VGS = 4.5V时RDS(ON) ≤ 130mΩ
- -100V、-10A，VGS = -10V时RDS(ON) ≤ 200mΩ
- 高密度单元设计，实现超低导通电阻
应用领域
- 电源管理
- 负载开关
- DC/DC转换器