温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
CMH044N10
1个N沟道 耐压:100V 电流:180A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- CMH044N10采用先进的高压MOSFET工艺制造，旨在提供出色的RDS(ON)。这些器件非常适合高效开关模式电源和有源功率因数校正。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMH044N10
- 商品编号
- C5203912
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.83克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 180A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.5mΩ@10V,50A | |
| 耗散功率(Pd) | 370W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 150nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
CMN2042M将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，以提供极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于消费、电信、工业电源和LED背光的升压转换器和同步整流器。
商品特性
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 1.2Ω
- SOT - 23 - 3L封装
应用领域
- DC - DC转换器
- 负载开关
- 系统开关