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CMB50N10
1个N沟道 耐压:100V 电流:50A
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- 描述
- 50N10采用先进的工艺技术和设计，可实现出色的RDS(ON)。该器件非常适合用于消费电子、电信、工业电源和LED背光的升压转换器和同步整流器。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMB50N10
- 商品编号
- C5203905
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.67克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17mΩ |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 100W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.6nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF@25V |
商品概述
30N10采用先进的沟槽技术和设计，可实现出色的RDS(ON)。该器件非常适用于消费、电信、工业电源和LED背光的升压转换器和同步整流器。
商品特性
- 低导通电阻
- 提供DPAK封装的安装信息
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- LED控制器-电源-DC-DC转换器