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CMD012N10实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

CMD012N10

1个N沟道 耐压:100V 电流:60A

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描述
012N10采用先进的沟槽技术和设计,可提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合脉冲宽度调制(PWM)、负载开关和通用应用。
商品型号
CMD012N10
商品编号
C5203906
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.38克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)60A
导通电阻(RDS(on))10mΩ@10V
耗散功率(Pd)120W
阈值电压(Vgs(th))3V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)35nC@10V
输入电容(Ciss)1.7nF
反向传输电容(Crss)100pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)950pF

商品概述

50N10采用先进的工艺技术和设计,可提供出色的RDS(ON)。该器件非常适合用于消费、电信、工业电源和LED背光的升压转换器和同步整流器。

商品特性

  • 快速开关
  • 100%雪崩测试
  • 符合RoHS标准

应用领域

  • DC-DC转换器-不间断电源(UPS)-电源-PWM电机控制

数据手册PDF