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CMD50N10
1个N沟道 耐压:100V 电流:50A
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- 描述
- 50N10采用先进的沟槽技术和设计，可提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合用于脉冲宽度调制（PWM）、负载开关和通用应用。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMD50N10
- 商品编号
- C5203904
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.39克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17mΩ | |
| 耗散功率(Pd) | 100W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 730pF |
商品概述
CMN2N10M将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于消费、电信、工业电源和LED背光的升压转换器和同步整流器。
商品特性
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 240mΩ
- 在VGS = 4.5V时，RDS(ON) < 275mΩ
- SOT - 23 - 3L封装
应用领域
- DC - DC转换器
- 负载开关
- 系统开关